Autor: Dr. Carlo Pagano
Zusammenfassung: Finetechs Technologie des laserunterstützten Bondens eignet sich für C2S und C2W Anwendungen mit höchsten Anforderungen an Geschwindigkeit, Genauigkeit und einem präzise kontrollierten Wärmeeintrag auf kleinen und kleinsten Flächen. Besonders schnelle Temperaturzyklen vermindern das Risiko der Oxidation von Oberflächen und ermöglichen kürzere Prozesszyklen in zeitoptimierten Produktionsumgebungen. Bei sequenziellen Bondprozessen auf Substrat- oder Waferebene wird jeder Chip nur einmal erwärmt. Anders als beim Flächenheizen, erfordert die punktuelle Erwärmung mittels Laser keine aufwändigen Vorkehrungen, um thermisch bedingten Ausdehnungseffekten entgegenzuwirken. Weiterhin ist es möglich, mehrere Chips mit einem Abstand von nur 500µm von Kante zu Kante auf ein Substrat zu Bonden, ohne benachbarte Lotpunkte um- oder wieder aufzuschmelzen.
In Abhängigkeit von der Anwendung und den verwendeten Materialien werden zwei Technologien unterstützt. Falls der Chip/das Substrat für die Wellenlänge des Lichts transparent ist (z. B. Quarzglas, Saphirglas, etc.), passiert der Laser das Trägermaterial, ohne wesentlich absorbiert zu werden, und bringt das Lotmaterial direkt zum Schmelzen. Bei intransparenten Trägermaterialien (Si, AlN, GaAs etc.) wird die Energie des Lasers im Träger absorbiert und in eine lokale Wärmequelle für den Bondprozess umgewandelt.
